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不同的鐵氧體抑制元件,有不同的最佳抑制頻率范圍。通常磁導(dǎo)率越高,抑制的頻率就越低。此外,鐵氧體的體積越大,抑制效果越好。在體積一定時(shí),長(zhǎng)而細(xì)的形狀比短而粗的抑制效果好,內(nèi)徑越小抑制效果也越好。但在有直流或交流偏流的情況下,還存在鐵氧體飽和的問(wèn)題,抑制元件橫截面越大,越不易飽和,可承受的偏流越大。
EMI吸收磁環(huán)/磁珠抑制差模干擾時(shí),通過(guò)它的電流值正比于其體積,兩者失調(diào)造成飽和,降低了元件性能;抑制共模干擾時(shí),將電源的兩根線(正負(fù))同時(shí)穿過(guò)一個(gè)磁環(huán),有效信號(hào)為差模信號(hào),EMI吸收磁環(huán)/磁珠對(duì)其沒(méi)有任何影響,而對(duì)于共模信號(hào)則會(huì)表現(xiàn)出較大的電感量。磁環(huán)的使用中還有一個(gè)較好的方法是讓穿過(guò)的磁環(huán)的導(dǎo)線反復(fù)繞幾下,以增加電感量。可以根據(jù)它對(duì)電磁干擾的抑制原理,合理使用它的抑制作用。鐵氧體抑制元件應(yīng)當(dāng)安裝在靠近干擾源的地方。對(duì)于輸入/輸出電路,應(yīng)盡量靠近屏蔽殼的進(jìn)、出口處。對(duì)鐵氧體磁環(huán)和磁珠構(gòu)成的吸收濾波器,除了應(yīng)選用高磁導(dǎo)率的有耗材料外,還要注意它的應(yīng)用場(chǎng)合。它們?cè)诰€路中對(duì)高頻成分所呈現(xiàn)的電阻大約是十至幾百Ω,因此它在高阻抗電路中的作用并不明顯,相反,在低阻抗電路(如功率分配、電源或射頻電路)中使用將非常有效。
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不同的鐵氧體抑制元件,有不同的最佳抑制頻率范圍。通常磁導(dǎo)率越高,抑制的頻率就越低。此外,鐵氧體的體積越大,抑制效果越好。在體積一定時(shí),長(zhǎng)而細(xì)的形狀比短而粗的抑制效果好,內(nèi)徑越小抑制效果也越好。但在有直流或交流偏流的情況下,還存在鐵氧體飽和的問(wèn)題,抑制元件橫截面越大,越不易飽和,可承受的偏流越大。
EMI吸收磁環(huán)/磁珠抑制差模干擾時(shí),通過(guò)它的電流值正比于其體積,兩者失調(diào)造成飽和,降低了元件性能;抑制共模干擾時(shí),將電源的兩根線(正負(fù))同時(shí)穿過(guò)一個(gè)磁環(huán),有效信號(hào)為差模信號(hào),EMI吸收磁環(huán)/磁珠對(duì)其沒(méi)有任何影響,而對(duì)于共模信號(hào)則會(huì)表現(xiàn)出較大的電感量。磁環(huán)的使用中還有一個(gè)較好的方法是讓穿過(guò)的磁環(huán)的導(dǎo)線反復(fù)繞幾下,以增加電感量??梢愿鶕?jù)它對(duì)電磁干擾的抑制原理,合理使用它的抑制作用。鐵氧體抑制元件應(yīng)當(dāng)安裝在靠近干擾源的地方。對(duì)于輸入/輸出電路,應(yīng)盡量靠近屏蔽殼的進(jìn)、出口處。對(duì)鐵氧體磁環(huán)和磁珠構(gòu)成的吸收濾波器,除了應(yīng)選用高磁導(dǎo)率的有耗材料外,還要注意它的應(yīng)用場(chǎng)合。它們?cè)诰€路中對(duì)高頻成分所呈現(xiàn)的電阻大約是十至幾百Ω,因此它在高阻抗電路中的作用并不明顯,相反,在低阻抗電路(如功率分配、電源或射頻電路)中使用將非常有效。